넥스페리아는 2 세대 650V 전원 질화 갈륨(GaN) FET 소자 제품군을 공급한다고 27일 밝혔다. RDS(on) 성능을 35mΩ(일반)까지 낮춘 이 전력 GaN FET는 2kW에서 10kW까지 이르는 단상 AC/DC 및 DC/DC 산업용 전환 모드 SMPS(전원공급장치) 등에 적용된다. 또 동일한 전력 범위에서 태양광 인버터 및 서보 드라이브에 적합하다고 넥스페리아측은 설명했다.

신제품은 'TO-247' 패키지로 제공되며 주어진 RDS(on) 값에 대해 다이 크기를 36% 줄였다. 덕분에 안정성과 효율성이 향상됐다. 

딜더 초드리 넥스페리아 질화 갈륨 전략 마케팅 책임자는 “이번에 대량 공급을 시작한 당사의 전력 GaN FET는 더 적은 부품을 사용해 물리적 크기와 비용을 모두 줄이는 제품 구성에 매우 이상적”이라고 언급했다.