텍사스 인스트루먼트(TI)는 미국 유타주 리하이에 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조공장(팹, Fab) 건설 계획을 17일 발표했다. 새로운 팹은 리하이에 위치한 TI의 기존 300mm 반도체 웨이퍼 팹인 LFAB 옆에 위치할 예정이며, 완공 후 두 팹은 하나의 팹으로 통합 운영될 예정이다.

이번 투자는 유타주 역사상 가장 큰 규모로, 110억 달러에 이른다. 리하이 팹 확장은 약 800개의 추가적인 TI 내부 일자리와 수천 개의 간접적인 일자리를 창출할 것으로 예상된다. TI는 알파인 학구와의 협력 강화를 기대하고 있으며, 학생들에게 다양한 기회를 제공하기 위해 900만 달러를 투자할 예정이다.

신설 팹은 건축물의 구조 효율성과 지속가능성을 평가하는 LEED(Leadership in Energy and Environmental Design) 건축물 인증 제도의 상위 등급인 'LEED 골드(Gold)' 기준을 충족하도록 설계될 예정이다. 리하이에 위치한 첫 번째 팹 대비 재활용하게 될 물의 비율은 약 두 배에 이른다. 리하이의 첨단 300mm 장비와 공정을 통해 칩 하나에 사용되는 폐기물과 물, 에너지의 소모를 절감하는데 기여할 것으로 회사측은 기대했다.

새로운 팹은 2023년 하반기에 착공해 이르면 2026년 생산을 시작할 수 있을 것으로 예상된다. 리하이의 신설 팹은 기존 300mm 팹인 텍사스주 댈러스의 DMOS6, 텍사스주 리차드슨에 위치한 RFAB1과 RFAB2, 유타주 리하이의 첫 번째 팹인 LFAB을 보완하는 역할을 하게 된다.

한편 TI는 텍사스주 셔먼에도 4개의 새로운 300mm 웨이퍼 팹을 건설하고 있다.